LETOU乐投

CN
系统集成 系统集成
SCT63252FIDR 预颁布新品
25W 高集成度、高效能无线充电发射器电源治理芯片
SCT63252FIDR
  • 产品介绍
  • 技术资料
  • 参数对比

产品特点

个性:

  • VIN 输入电压领域:2.8V - 24V
  • PVIN 输入电压领域:1V - 24V
  • 最大传输功率:高达 25W
  • 集玉成桥功率级:功率 MOSFET 导通电阻为 17mΩ
  • 集成 5V-50mA LDO
  • PVIN 引脚集成 2 输入电容,以加强 EMI 抑造机能
  • 内置 3.3V-50mA LDO
  • 低功耗模式静态电流极低,IQ < 20µA
  • 集成高精度无损输入电流传感器:精度 ±2%,用于异物检测与电流解调
  • 集成电压与电流解调职能
  • 集成 Q 因子检测职能
  • 兼容 3.3V 与 5V PWM 信号逻辑
  • 输入欠压锁定;
  • 过流;
  • 过温;
  • 封装大局:4mm * 4mm FC-QFN-19L 封装

描述:

SCT63252是一款高集成度电源治理芯片,可能使切合WPC规范的无线充电发射器系统实现高机能、高效能与高性价比,支持高达25W的功率传输,可搭配专用的无线利用节造器或基于通用MCU的发射器节造器工作 。

该器件集成了4-MOSFET全桥功率级、栅极驱动器、5V LDO、3.3V LDO、通讯解调器、Q因子检测和输入电流传感器,两整系统效能与易用性 。

其专有的栅极驱动规划和集成的PVIN电容优化了EMI抑造机能,有助于节俭系统成本并简化设计 。±2%精度的专有无损电流检测电路可监测全桥输入电流,支持异物检测与电流解调 。内置的5V和3.3V低压差线性稳压器可为发射器节造器及表部电路供电 。低静态电流的低功耗模式有效降低了Q因子检测时的功率损耗 。

SCT63252具备输入欠压锁定;ぁ⒐鞅;ぁ⒍搪繁;ぜ肮卤;ぶ澳 。

该器件选取紧凑型4mm×4mm FC-QFN封装 。


利用:

  • 合用于移动设备、平板电脑及可穿戴设备的25W系统WPC合规无线充电器
  • 用于消费电子、工业设备及医疗设备的通用型无线功率发射器
  • 专有和谈的无线充电器与发射器

封装信息

SCT63252FIDR
+ -

技术资料

标题 功夫 下载
SCT63252 Datasheet Rev 0.8 2026-02-11 icon48下载

参数对比

参与对比
无线充电发射端 PMIC 系统集成
对比参数
{{ goods }}
icon49
无线充电发射端 PMIC 系统集成
{{ item.attr_name }} {{ vo }}
【网站地图】